Infineon представила радіаційно-стійкі GaN-транзистори для космосу та оборони

Компанія Infineon Technologies представила нову серію радіаційно-стійких транзисторів на основі нітриду галію (GaN), які отримали сертифікацію для використання в космічних та оборонних системах. Ці транзистори призначені для роботи в умовах високого рівня іонізуючого випромінювання, характерного для космічного простору та військових застосувань.

Основні характеристики:

  • Радіаційна стійкість: Транзистори здатні витримувати високі дози іонізуючого випромінювання без втрати функціональності, що робить їх придатними для використання в космічних апаратах, включаючи супутники та міжпланетні зонди.
  • Висока ефективність: Завдяки використанню технології GaN, транзистори забезпечують високу ефективність при передачі потужності, що особливо важливо для систем з обмеженими енергетичними ресурсами.
  • Компактність і легкість: Малі розміри та вага транзисторів дозволяють зменшити загальну масу електронних систем, що є критичним фактором у місіях.

Застосування:

Ці транзистори можуть бути використані в різноманітних системах, включаючи:

  • Системи живлення супутників
  • Радіочастотні підсилювачі для комунікаційного обладнання
  • Системи управління та навігації космічних апаратів
  • Військові радіолокаційні та комунікаційні системи

Джерело: https://www.allaboutcircuits.com/news/infineons-rad-hard-gan-transistors-cleared-for-space-defense/