Компанія Infineon Technologies представила нову серію радіаційно-стійких транзисторів на основі нітриду галію (GaN), who received certification for use in space and defense systems. These transistors are designed to work in high levels of ionizing radiation, характерного для космічного простору та військових застосувань.
Основні характеристики:
- Радіаційна стійкість: Transistors are able to withstand high doses of ionizing radiation without loss of functionality, що робить їх придатними для використання в космічних апаратах, включаючи супутники та міжпланетні зонди.
- Висока ефективність: Завдяки використанню технології GaN, транзистори забезпечують високу ефективність при передачі потужності, що особливо важливо для систем з обмеженими енергетичними ресурсами.
- Компактність і легкість: Малі розміри та вага транзисторів дозволяють зменшити загальну масу електронних систем, що є критичним фактором у місіях.
Application:
Ці транзистори можуть бути використані в різноманітних системах, включаючи:
- Системи живлення супутників
- Радіочастотні підсилювачі для комунікаційного обладнання
- Системи управління та навігації космічних апаратів
- Військові радіолокаційні та комунікаційні системи
Source: https://www.allaboutcircuits.com/news/infineons-rad-hard-gan-transistors-cleared-for-space-defense/